[发明专利]存储器元件中的存储点接触结构与其制作方法有效
| 申请号： | 201710239078.2 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108735741B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈品宏;郑存闵;蔡志杰;陈姿洁;张凯钧;吴佳臻;黄怡安;陈意维;黄信富;许启茂;冯立伟;王嫈乔;冯仲彦 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种存储器元件中的存储点接触结构与其制作方法。该存储器元件中的存储点接触(storage node contact)结构包含一基底，该基底上有一介电层，该介电层中包含有一凹槽，一第一钨金属层，位于该凹槽中，并且填满该凹槽，一粘着层，位于该第一钨金属层上，以及一第二钨金属层，位于该粘着层上，其中该第二钨金属层由一物理气相沉积(Physical vapor deposition，PVD)的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 中的 存储 点接触 结构 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器元件中的存储点接触(storage node contact)结构，包含：基底，该基底上有介电层，该介电层中包含有凹槽；第一钨金属层，位于该凹槽中，并且填满该凹槽；以及第二钨金属层，位于该粘着层上，其中该第二钨金属层由一物理气相沉积(Physical vapor deposition，PVD)的方式形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司，未经联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710239078.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：一种高密度随机存储器制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
