[发明专利]存储器元件中的存储点接触结构与其制作方法

说明书

本发明公开一种存储器元件中的存储点接触结构与其制作方法。该存储器元件中的存储点接触(storage node contact)结构包含一基底，该基底上有一介电层，该介电层中包含有一凹槽，一第一钨金属层，位于该凹槽中，并且填满该凹槽，一粘着层，位于该第一钨金属层上，以及一第二钨金属层，位于该粘着层上，其中该第二钨金属层由一物理气相沉积(Physical vapor deposition，PVD)的方式形成。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构及其制作方法，尤其是涉及一种存储器元件中的存储点接触(storage node contact)结构及其制作方法。

背景技术

动态随机存取存储器(dynamic random access memory，以下简称为DRAM)是一种主要的挥发性(volatile)存储器，且是很多电子产品中不可或缺的关键元件。DRAM由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成一阵列区，用来存储数据，而每一存储单元则由一金属氧化半导体(metal oxide semiconductor，以下简称为MOS)晶体管与一电容(capacitor)串联组成。

电容通过存储电极(storage node)与形成于电极接触洞(node contact)中的导电结构电连接，并与MOS晶体管的漏极形成一位存取的通路，用于达到存储或输出数据的目的。上述连接存储电极与电容之间的通路，也就是存储点接触(storage node contact)，其制作品质将会影响到整个存储器元件的运作速度与表现。

综上所述，本发明将原先由一体成形结构所形成的存储点接触结构导电层(例如钨)，分成上下两层，并且分别以不同的制作工艺形成。尤其是上层导电层用物理气相沉积的方式形成，具有表面平整与更佳的导电率的优点，进而可以增加整体存储元件的品质。

发明内容

本发明提供一种存储器元件中的存储点接触(storage node contact)结构，包含一基底，该基底上有一介电层，该介电层中包含有一凹槽，一第一钨金属层，位于该凹槽中，并且填满该凹槽，以及一第二钨金属层，位于该粘着层上，其中该第二钨金属层由一物理气相沉积(Physical vapor deposition，PVD)的方式形成。

本发明另提供一种存储器元件中的存储点接触(storage node contact)结构的形成方法，包含：提供一基底，该基底上形成有一介电层，该介电层中包含有一凹槽，接着形成一第一钨金属层于该凹槽中，并且填满该凹槽，然后进行一平坦化步骤，移除部分该第一钨金属层，并且形成一粘着层于该第一钨金属层上，以及通过一物理气相沉积(Physicalvapor deposition，PVD)的方式形成一第二钨金属层于该粘着层上。

本发明还提供一种存储器元件中的存储点接触(storage node contact)结构的形成方法，包含：提供一基底，该基底上形成有一介电层，该介电层中包含有一凹槽，接着形成一第一钨金属层于该凹槽中，并且填满该凹槽，然后进行一平坦化步骤，移除部分该第一钨金属层，并形成一粘着层于该第一钨金属层上，之后通过一物理气相沉积(Physicalvapor deposition，PVD)的方式形成一第二钨金属层于该粘着层上，以及对该第一钨金属层、该粘着层以及该第二钨金属层进行一退火步骤。

附图说明

图1至图7为本发明存储器元件中的接触点结构的流程示意图；

图8为本发明另一实施例中制作存储器元件中的接触点结构的示意图；

图9为本发明另一实施例中制作存储器元件中的接触点结构的示意图。

主要元件符号说明

10 基底

12 位线

12A 硅化钛层