[发明专利]一种螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201710238625.5 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107058950A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 简基康;王颖;郭燕红 | 申请（专利权）人： | 新疆大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 830046 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开一种螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜及其制备方法，是通过以下工艺过程实现的在高真空热蒸发镀膜机坩埚中，加入一定量的高纯Bi2Te3粉末，放置于加热区域。调整衬底样品台到蒸发源的距离至10cm，在衬底样品台上放置清洗过的氟晶云母。开启复合分子泵机组抽真空至5*10‑5Pa，衬底加热至380℃‑400℃，热蒸发源温度加热至340℃‑360℃，开始镀膜。在此温度下反应5‑120min，通过控制面板调节蒸发源和衬底温度至0℃，等待仪器自然降温后，获得产物。本发明的特点在于此方法可直接制备出螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜；产物形貌螺旋生长，台阶清晰可见；无其他产物，对环境污染小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 螺旋 结构 碲化铋 纳米 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜及其制备方法，其特征在于通过以下工艺过程实现：在多源高真空热蒸发镀膜机专用坩埚中，加入一定量的高纯Bi2Te3粉末，放置于多源高真空热蒸发镀膜机蒸发源加热区域；调整衬底样品台到蒸发源的距离至10cm，将样品台锁定在蒸发源正上方；在衬底样品台上放置氟晶云母，放置前使用无水乙醇超声清洗，然后将氟晶云母放置于等离子清洗机中使用氮气清洗并干燥；反应前分别关闭衬底样品台下方和蒸发源上方挡板；开启复合分子泵机组抽真空，抽至9*10‑5Pa，将衬底加热至380℃‑400℃；衬底温度稳定后加热蒸发源，温度加热至340℃‑360℃，待仪器抽真空至5*10‑5Pa，打开衬底下方的挡板，开始镀膜；在此温度下反应5‑120min，关闭蒸发源和衬底挡板，通过控制面板调节蒸发源和衬底温度至0℃，等待仪器自然降温后，获得产物。
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