[发明专利]一种螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜及其制备方法，其特征在于通过以下工艺过程实现：在多源高真空热蒸发镀膜机专用坩埚中，加入一定量的高纯Bi₂Te₃粉末，放置于多源高真空热蒸发镀膜机蒸发源加热区域；调整衬底样品台到蒸发源的距离至10cm，将样品台锁定在蒸发源正上方；在衬底样品台上放置氟晶云母，放置前使用无水乙醇超声清洗，然后将氟晶云母放置于等离子清洗机中使用氮气清洗并干燥；反应前分别关闭衬底样品台下方和蒸发源上方挡板；开启复合分子泵机组抽真空，抽至9*10^-5Pa，将衬底加热至380℃-400℃；衬底温度稳定后加热蒸发源，温度加热至340℃-360℃，待仪器抽真空至5*10^-5Pa，打开衬底下方的挡板，开始镀膜；在此温度下反应5-120min，关闭蒸发源和衬底挡板，通过控制面板调节蒸发源和衬底温度至0℃，等待仪器自然降温后，获得产物。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所用碲化铋源为商业购买Bi₂Te₃粉。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所用衬底为商业购买氟晶云母。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所用制备装置是多源高真空热蒸发镀膜机。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底到蒸发源的距离为10cm。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蒸发源反应温度为340℃-360℃。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底反应温度为380℃-400℃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述镀膜反应时间为10分钟~2小时。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所得产物为一种螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所得到的碲化铋纳米片薄膜的螺旋结构台阶清晰，无其他产物。