[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置在审

专利信息
申请号: 201710233298.4 申请日: 2017-04-11
公开(公告)号: CN106847746A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 贺芳;王利忠;李东升 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置,由于在制备开关薄膜晶体管的有源层和驱动薄膜晶体管的有源层时,采用激光对与开关薄膜晶体管对应的第一预设区域和与驱动薄膜晶体管对应的第二预设区域进行照射,使第一预设区域的非晶硅薄膜形成的多晶硅薄膜的晶化程度大于第二预设区域的非晶硅薄膜形成的多晶硅薄膜的晶化程度,有效的控制了驱动薄膜晶体管对应的有源层的非晶硅薄膜的晶化程度,使驱动薄膜晶体管的载流子迁移率降低,因此,与现有技术相比,在保证开关晶体管的载流子的迁移率的基础上,无需增加沟道长度就可以降低驱动薄膜晶体管载流子的迁移率,保证了显示面板的高分辨率。
搜索关键词: 一种 阵列 制备 方法 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,包括在衬底基板上形成开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,其特征在于,形成所述开关薄膜晶体管的有源层的图形和形成所述驱动薄膜晶体管的有源层的图形,具体包括:在所述衬底基板上形成非晶硅薄膜;采用激光对所述非晶硅薄膜的第一预设区域和第二预设区域进行照射,使所述第一预设区域的非晶硅薄膜形成的多晶硅薄膜的晶化程度大于所述第二预设区域的非晶硅薄膜形成的多晶硅薄膜的晶化程度;其中,所述第一预设区域的多晶硅薄膜为所述开关薄膜晶体管的有源层,第二预设区域的多晶硅薄膜为所述驱动薄膜晶体管的有源层。
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