[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，包括在衬底基板上形成开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，其特征在于，形成所述开关薄膜晶体管的有源层的图形和形成所述驱动薄膜晶体管的有源层的图形，具体包括：

在所述衬底基板上形成非晶硅薄膜；

采用激光对所述非晶硅薄膜的第一预设区域和第二预设区域进行照射，使所述第一预设区域的非晶硅薄膜形成的多晶硅薄膜的晶化程度大于所述第二预设区域的非晶硅薄膜形成的多晶硅薄膜的晶化程度；其中，所述第一预设区域的多晶硅薄膜为所述开关薄膜晶体管的有源层，第二预设区域的多晶硅薄膜为所述驱动薄膜晶体管的有源层。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用激光对所述非晶硅薄膜的第一预设区域和第二预设区域进行照射，使所述第一预设区域的非晶硅薄膜形成的多晶硅薄膜的晶化程度大于所述第二预设区域的非晶硅薄膜形成的多晶硅薄膜的晶化程度具体为：

采用激光对所述非晶硅薄膜的第一预设区域和第二预设区域进行照射，使所述非晶硅薄膜的第一预设区域接收的激光能量大于所述非晶硅薄膜的第二预设区域接收的激光能量。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用激光对所述非晶硅薄膜的第一预设区域和第二预设区域进行照射，使所述非晶硅薄膜的第一预设区域接收的激光能量大于所述非晶硅薄膜的第二预设区域接收的激光能量，具体包括：

在所述非晶硅薄膜上方设置第一掩膜板，其中所述第一掩膜板为灰色调掩膜板或半色调掩膜板；

采用激光对所述第一掩膜板进行照射，使激光从所述第一掩膜板的完全透光区域照射在所述非晶硅薄膜上的第一预设区域，从所述第一掩膜板的半透光区域照射在所述非晶硅薄膜上的第二预设区域。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用激光对所述非晶硅薄膜的第一预设区域和第二预设区域进行照射，使所述非晶硅薄膜的第一预设区域接收的激光能量大于所述非晶硅薄膜的第二预设区域接收的激光能量，具体包括：

在所述非晶硅薄膜上方设置第二掩膜板，所述第二掩膜板包括第一遮光区域和第一镂空区域；

采用第一激光对所述第二掩膜板进行照射，使激光从所述第二掩膜板的所述第一镂空区域照射在所述非晶硅薄膜上的第一预设区域或第二预设区域；

在所述非晶硅薄膜上方设置第三掩膜板，所述第三掩膜板包括第二遮光区域和第二镂空区域；

采用第二激光对所述第三掩膜板进行照射，使激光从所述第三掩膜板的所述第二镂空区域照射在所述非晶硅薄膜上的第一预设区域或第二预设区域；

其中，当所述第一激光照射在所述第一预设区域，且所述二激光照射在所述第二预设区域时，所述第一激光的能量大于所述二激光的能量，当所述第一激光照射在所述第二预设区域，且所述第二激光照射在所述第一预设区域时，所述第二激光能量大于所述第一激光能量。

5.如权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，在采用激光对所述掩膜板进行照射之前还包括：在所述非晶硅薄膜和所述掩膜板之间设置聚光透镜。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成所述非晶硅薄膜之前还包括：

在所述衬底基板上形成缓冲层。

7.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的栅电极的图形和所述驱动薄膜晶体管的栅电极的图形通过一次构图工艺形成。

8.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的源漏电极的图形和所述驱动薄膜晶体管的源漏电极的图形通过一次构图工艺形成。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用如权利要求1-8任一项所述的制备方法形成，其中，所述阵列基板包括衬底基板，以及位于所述衬底基板上的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管的有源层的多晶硅薄膜的晶化程度大于所述驱动薄膜晶体管有源层的多晶硅薄膜的晶化程度。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。