[发明专利]半导体封装件及半导体封装件的制造方法在审
| 申请号： | 201710231755.6 | 申请日： | 2017-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN107424960A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 丸谷尚一;甲斐稔;北野一彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社吉帝伟士 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/12;H01L23/13;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 郭放,许伟群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供降低了维护频度的半导体封装件的制造方法。半导体封装件的制造方法包括如下步骤在基材上配置多个半导体装置；形成覆盖多个半导体装置的树脂绝缘层；在树脂绝缘层形成包围所述多个半导体装置的各个的槽；以及在与槽相对应的区域中，通过向基材照射激光来分离所述多个半导体装置的各个。槽可以达到基材，也可以在形成槽时，以与形成槽的位置相对应的方式在基材上形成凹部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在基材上配置多个半导体装置；形成覆盖所述多个半导体装置的树脂绝缘层；在所述树脂绝缘层形成包围所述多个半导体装置的各个且达到所述基材的槽；以及在与所述槽相对应的区域中，通过向所述基材照射激光，来分离所述多个半导体装置的各个。
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