[发明专利]半导体封装件及半导体封装件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201710231755.6 申请日: 2017-04-11
公开(公告)号: CN107424960A 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 丸谷尚一;甲斐稔;北野一彦 申请(专利权)人: 株式会社吉帝伟士
主分类号: H01L23/28 分类号: H01L23/28;H01L23/12;H01L23/13;H01L21/78
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 郭放,许伟群
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体封装件及半导体封装件的制造方法。尤其,本发明涉及基材上的半导体装置的安装技术。或者,本发明涉及安装有半导体装置的基材的端部形状。

背景技术

以往,在移动电话或智能电话等的电子设备中采用在支承基板上搭载有集成电路(integrated circuit,IC)芯片等的半导体装置的半导体封装件结构(例如日本特开2010-278334号公报)。在这种半导体封装件中,通常采用如下结构:在支承基材上经由粘接层接合IC芯片或存储器等的半导体装置,并利用密封体(密封用树脂材料)覆盖该半导体装置,由此来保护半导体器件。

作为用于半导体装置的支承基材,可采用印刷基材、陶瓷基材等各种基材。尤其是近年来,对于利用金属基材的半导体封装件的开发研究不断推进。在金属基材上搭载有半导体装置并通过再布线来扇出(fan out)的半导体封装件具有电磁屏蔽性能以及热特性优良的优点,作为高可靠性的半导体封装件而备受瞩目。这种半导体封装件还具有在封装设计上自由度高的优点。

在支承基材上搭载有半导体装置的结构的情况下,通过在大型的支承基材上搭载多个半导体装置,能够利用同一工艺来制造多个半导体封装件。在这种情况下,形成在支承基材上的多个半导体封装件,在制造过程结束之后被单片化,从而完成各个半导体封装件。像这种在支承基材上搭载半导体装置的半导体封装件的结构还具有生产率高的优点。

如上所述,在考虑到使用大型金属基材来作为支承基材的大量生产的情况下,需要例如利用划片刀等的机械加工方法,来将形成在该金属基材上的多个半导体封装件分割为各个半导体封装件。在分割半导体封装件时,若利用划片刀来加工每个金属基材,则划片刀会磨损,必须在短期间内进行更换。

发明内容

本发明是鉴于这些技术问题而提出的,其目的在于提供一种降低了维护频度的半导体封装件的制造方法。

本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法包括如下步骤:在基材上配置多个半导体装置;形成覆盖多个半导体装置的树脂绝缘层;在树脂绝缘层形成包围所述多个半导体装置的各个且达到基材的槽;以及在与槽相对应的区域中,通过向基材照射激光,来分离多个半导体装置的各个。

另外,槽可以达到基材。

另外,在形成槽时,可以在槽之下的基材上形成凹部。

另外,激光可以从基材的与形成有树脂绝缘层的一侧相反的一侧照射于基材。

另外,激光可以照射在比槽的宽度狭窄的区域。

另外,可以利用划片刀来进行槽的形成。

本发明的一个实施方式的半导体封装件具有:基材,具有第一面、与第一面相反的一侧的第二面以及连接第一面的第一端部与第二面的第二端部的侧面;半导体装置,配置在第一面一侧;以及树脂绝缘层,覆盖半导体装置,其中,从第一端部朝向第二端部,侧面是弯曲的。

另外,第二端部可以比第一端部更向基材的外侧突出。

另外,侧面可以呈在第一端部与第二端部之间具有拐点的弯曲形状。

另外,第一端部可以与树脂绝缘层的端部相连接。

根据本发明的半导体封装件的制造方法,能够提供降低了维护频度的半导体封装件的制造方法。

附图说明

图1为本发明的一个实施方式的半导体封装件的截面示意图。

图2为示出在本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中,在支承基材上形成对准标记的工序的图。

图3为示出在本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中,在支承基材上形成粘接层的工序的图。

图4为示出在本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中,对支承基材的背面及侧面进行粗化的工序的图。

图5为示出在本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中,去除粘接层的一部分的工序的图。

图6为示出在本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中,在支承基材上配置半导体装置的工序的图。

图7为示出在本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中,形成树脂绝缘层的工序的图。

图8为示出在本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中,在树脂绝缘层上形成导电层的工序的图。

图9为示出在本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中,对导电层的表面进行粗化的工序的图。

图10为示出在本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中,在树脂绝缘层形成开口部的工序的图。

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