[发明专利]一种基于表面纳米气泡降低流体阻力的微通道制备方法有效
| 申请号： | 201710229403.7 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN106861781B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 李大勇;顾娟;刘玉波;董金波 | 申请（专利权）人： | 黑龙江科技大学 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 150022 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于表面纳米气泡实现降低流体流动阻力的微通道制备方法。首先采用光刻技术（photolithography）和电化学刻蚀技术（electrochemical etching）在硅表面上获得底面带有孔状微结构的微通道；然后对该微通道表面进行硅烷化处理，使表面具有较好的疏水性；最后将玻璃覆盖在微通道的另一面并利用阳极焊技术密封。本发明制作的微通道可以通过改变进出口压力在微孔结构处生成具有不同突出角的纳米气泡，进而实现不同程度的流体减阻效果，提高微流体的传输效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 表面 纳米 气泡 降低 流体 阻力 通道 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于表面纳米气泡实现微流体滑移减阻的微通道的制备方法，其特征在于所述的基于表面纳米气泡实现微流体滑移减阻的微通道的制备方法包括以下步骤：1）采用RCA清洗工艺清洗硅片（N型100单晶硅，电阻率为0.04–0.1 V cm）；2）采用光刻技术（photolithography）和电化学刻蚀技术（electrochemical etching）在硅表面上加工出微通道的主通道，然后在通道底面上加工出孔状微结构；3）对底面带有微孔结构的微通道表面进行清洗（RCA工艺），用氮气吹干，进行硅烷化处理，使表面具有较好的疏水性；4）将玻璃片覆盖在微通道的上面并利用阳极焊技术密封。
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