[发明专利]一种基于表面纳米气泡降低流体阻力的微通道制备方法

权利要求书

1.一种基于表面纳米气泡实现微流体滑移减阻的微通道的制备方法，其特征在于所述的基于表面纳米气泡实现微流体滑移减阻的微通道的制备方法包括以下步骤：

1)采用RCA清洗工艺清洗硅片，所述硅片为N型100单晶硅，电阻率为0.04–0.1′Ω·cm；

2)采用光刻技术和电化学刻蚀技术在硅表面上加工出微通道的主通道，然后在通道底面上加工出孔状微结构；其中，硅片的加工面采用刻蚀液刻蚀，底面利用长波长的红外光照射；加工时，所采用的刻蚀液为氢氟酸溶液；主通道宽度W＝200μm，深度H＝50μm；孔的直径为1.6μm，深度为3μm；

3)用RCA工艺对底面带有微孔结构的微通道表面进行清洗，用氮气吹干，进行硅烷化处理，使表面具有较好的疏水性；

利用OTS的无水甲苯溶液对底面有微孔结构的微通道表面进行硅烷化处理，OTS的无水甲苯溶液的体积比为1％；对微通道表面进行硅烷化处理时，将微通道表面浸入在十八烷基三氯硅烷的无水甲苯溶液中,浸入时间为5小时；取出后将硅烷化的微通道表面用甲苯溶液超声清洗3次，每次5分钟，然后用去离子水超声清洗5次，每次3分钟；

4)将玻璃片覆盖在微通道的上面并利用阳极焊技术密封。

2.如权利要求1所述的一种基于表面纳米气泡实现微流体滑移减阻的微通道的制备方法，其特征在于，步骤4)中所述的微通道采用阳极焊技术将玻璃片密封在微通道的另一面。