[发明专利]磁控溅射组件、磁控溅射腔室及磁控溅射设备在审

专利信息
申请号: 201710220659.1 申请日: 2017-04-06
公开(公告)号: CN108690961A 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 杨玉杰;丁培军;张同文 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种磁控溅射组件,包括磁控管和靶材,所述磁控管相对于所述靶材固定设置,所述磁控管包括磁极方向相反的内磁极和外磁极,在所述内、外磁极之间形成磁场轨道。本发明还提供一种磁控溅射腔室及磁控溅射设备。本发明不仅可提高磁控溅射组件稳定性,而且还可以增加生成的磁性薄膜的应用频率范围。
搜索关键词: 磁控溅射 磁控管 磁控溅射设备 外磁极 靶材 腔室 磁场轨道 磁极方向 磁性薄膜 固定设置 应用频率 内磁极
【主权项】:
1.一种磁控溅射组件,包括磁控管和靶材,其特征在于,所述磁控管相对于所述靶材固定设置,所述磁控管包括磁极方向相反的内磁极和外磁极,在所述内磁极、外磁极之间形成磁场轨道。
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