[发明专利]磁控溅射组件、磁控溅射腔室及磁控溅射设备在审
| 申请号： | 201710220659.1 | 申请日： | 2017-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN108690961A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杨玉杰;丁培军;张同文 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 磁控管 磁控溅射设备 外磁极 靶材 腔室 磁场轨道 磁极方向 磁性薄膜 固定设置 应用频率 内磁极 | ||
1.一种磁控溅射组件，包括磁控管和靶材，其特征在于，所述磁控管相对于所述靶材固定设置，所述磁控管包括磁极方向相反的内磁极和外磁极，在所述内磁极、外磁极之间形成磁场轨道。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射组件，其特征在于，所述靶材的投影落在所述内磁极、外磁极投影所形成的区域内，且所述磁场轨道覆盖所述靶材。
3.根据权利要求2所述的磁控溅射组件，其特征在于，所述靶材沿其厚度方向自顶端至底端的宽度逐渐增大。
4.根据权利要求2所述的磁控溅射组件，其特征在于，所述靶材的侧壁呈台阶状。
5.根据权利要求4所述的磁控溅射组件，其特征在于，所述靶材的侧壁上包括至少两个连续的厚度不同的台阶。
6.根据权利要求1所述的磁控溅射组件，其特征在于，还包括用于固定安装所述靶材的背板，所述背板上未安装所述靶材的表面上设置有靶材材料涂层。
7.根据权利要求1所述的磁控溅射组件，其特征在于，所述内磁极和所述外磁极均为圆环磁极，且二者嵌套设置。
8.根据权利要求7所述的磁控溅射组件，其特征在于，所述外磁极和所述内磁极同心设置。
9.根据权利要求8所述的磁控溅射组件，其特征在于，所述内磁极和所述外磁极之间的间隙的取值范围为25.4mm～45mm。
10.根据权利要求7所述的磁控溅射组件，其特征在于，所述靶材为圆环形靶材。
11.一种磁控溅射腔室，包括磁控溅射组件，其特征在于，所述磁控溅射组件采用权利要求1-10任意一项所述的磁控溅射组件。
12.根据权利要求11所述的磁控溅射腔室，其特征在于，还包括：偏置磁场装置，
所述偏置磁场装置用于在腔室内的基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层；
所述磁控溅射组件设置在腔室的顶部与所述基座相对设置。
13.一种磁控溅射设备，包括磁控溅射腔室，其特征在于，所述磁控溅射腔室采用权利要求11-12任意一项所述的磁控溅射腔室。
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