[发明专利]晶片生成方法和加工进给方向检测方法

摘要

提供晶片生成方法和加工进给方向检测方法，实现了生产性的提高。晶片的生成方法包含加工进给方向检测工序，该加工进给方向检测工序对c轴的倾斜方向与第2定向平面是否呈直角进行确认，检测与c轴的倾斜方向呈直角的加工进给方向。加工进给方向检测工序包含如下工的序：采样工序，在与第2定向平面平行的方向和以第2定向平面为基准绕顺时针和逆时针各倾斜规定的角度的多个方向上分别实施样本照射，形成多个样本强度降低部，该样本照射对锭照射激光光线；以及确定工序，对样本强度降低部各自的每单位长度中存在的节的个数进行计测，将节的个数为0个的样本强度降低部所延伸的方向确定为加工进给方向。

主权项

一种晶片生成方法，从圆柱形的单晶SiC锭生成晶片，该单晶SiC锭具有圆筒形的周面和圆形的上表面，在该周面上形成有第1定向平面和第2定向平面，该第2定向平面比该第1定向平面短而且与该第1定向平面垂直，在该单晶SiC锭中，c轴相对于与该上表面垂直的垂直轴朝向该第2定向平面倾斜，在该第2定向平面侧具有c面与该上表面所呈的偏离角，该c面与c轴垂直，其中，该晶片生成方法具有如下的工序：加工进给方向检测工序，对该c轴的倾斜方向与该第2定向平面是否呈直角进行确认，检测与该c轴的倾斜方向呈直角的加工进给方向；强度降低部形成工序，将激光光线的聚光点定位在距离该上表面的深度相当于要生成的晶片的厚度的位置，一边使该单晶SiC锭与该聚光点在通过该加工进给方向检测工序检测出的所述加工进给方向上相对地移动，一边对该单晶SiC锭照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线，从而在相当于要生成的晶片的厚度的深度形成直线状的强度降低部，该强度降低部由与该上表面平行的改质层和从该改质层沿着该c面伸长的裂纹构成，剥离面形成工序，在与该加工进给方向垂直的方向上隔开规定的间隔多次实施该强度降低部形成工序，从而形成剥离面；以及晶片生成工序，在实施了该剥离面形成工序之后，以该剥离面为界面将该单晶SiC锭的一部分剥离而生成晶片，所述加工进给方向检测工序包含如下的工序：采样工序，在与该第2定向平面平行的方向和以该第2定向平面为基准绕顺时针和逆时针各倾斜规定的角度的多个方向上分别进行样本照射，从而形成多个直线状的样本强度降低部，该样本强度降低部由与该上表面平行的改质层和从该改质层沿着该c面伸长的裂纹构成，其中，该样本照射将聚光点定位在距离该上表面规定的深度的位置，一边使该单晶SiC锭与该聚光点相对地移动，一边对该单晶SiC锭照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线；以及确定工序，通过拍摄单元对该多个样本强度降低部各自进行拍摄，根据该拍摄单元所拍摄的图像对该多个样本强度降低部各自的每单位长度中存在的节的个数进行计测，将节的个数为0个的样本强度降低部所延伸的方向确定为加工进给方向。