[发明专利]晶片生成方法和加工进给方向检测方法

说明书

提供晶片生成方法和加工进给方向检测方法，实现了生产性的提高。晶片的生成方法包含加工进给方向检测工序，该加工进给方向检测工序对c轴的倾斜方向与第2定向平面是否呈直角进行确认，检测与c轴的倾斜方向呈直角的加工进给方向。加工进给方向检测工序包含如下工的序：采样工序，在与第2定向平面平行的方向和以第2定向平面为基准绕顺时针和逆时针各倾斜规定的角度的多个方向上分别实施样本照射，形成多个样本强度降低部，该样本照射对锭照射激光光线；以及确定工序，对样本强度降低部各自的每单位长度中存在的节的个数进行计测，将节的个数为0个的样本强度降低部所延伸的方向确定为加工进给方向。

技术领域

本发明涉及从单晶SiC锭生成晶片的晶片生成方法以及从单晶SiC锭生成晶片时对加工进给方向进行检测的加工进给方向检测方法，其中，该加工进给方向与c轴的倾斜方向呈直角。

背景技术

IC或LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al₂O₃(蓝宝石)等为原材料的晶片的上表面上层叠功能层并通过分割预定线划分而形成的。并且，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的上表面上层叠功能层并通过分割预定线划分而形成的。通过切削装置或激光加工装置对分割预定线实施加工而将晶片分割成各个器件。然后，将各器件应用于移动电话或个人计算机等电子设备。

形成有器件的晶片一般是利用线切割机将圆柱形的锭较薄地切断而生成的。对切断得到的晶片的上表面和下表面进行研磨而精加工成镜面(参照专利文献1。)。然而，当利用线切割机将锭切断并对切断得到的晶片的上表面和下表面进行研磨时，锭的大部分(70～80％)被舍弃，存在不经济的问题。特别是在单晶SiC锭中，硬度较高因而利用线切割机进行的切断很困难，需要相当长的时间，所以生产性较差，并且锭的单价较高因而在高效地生成晶片方面存在课题。

因此，提出了如下的技术方案：将聚光点定位在SiC锭的内部，对SiC锭照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线从而在切断预定面上形成改质层，将形成有改质层的切断预定面切断而从SiC锭生成晶片(参照专利文献2。)。但是，要想从SiC锭生成晶片，必须相邻地形成多个改质层，存在生产性较差的问题。

专利文献1：日本特开2000-94221号公报

专利文献2：日本特开2013-49161号公报

发明内容

鉴于上述事实而完成的本发明的第1课题在于提供晶片生成方法，实现生产性的提高。

本发明的第2课题在于提供加工进给方向检测方法，使实现生产性提高的晶片生成方法的实施成为可能。