[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201710218258.2 | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN108695289B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘瑛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L21/02;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成种子层和位于所述种子层之上的底部金属层；在所述底部金属层的侧壁上形成保护层；去除所述种子层位于所述底部金属层底部之外的部分，保留位于所述底部金属层底部的部分；在所述底部金属层上设置焊球以形成用于封装的凸块。该半导体器件的制作方法可以减小底部金属层中的砍口，降低焊球掉落的风险。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成种子层和位于所述种子层之上的底部金属层；在所述底部金属层的侧壁上形成保护层；去除所述种子层位于所述底部金属层底部之外的部分，保留位于所述底部金属层底部的部分；在所述底部金属层上设置焊球以形成用于封装的凸块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710218258.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件和功率转换器
- 下一篇：封装结构
