[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成种子层和位于所述种子层之上的底部金属层；

在所述底部金属层的侧壁上形成保护层；

去除所述种子层位于所述底部金属层底部之外的部分，保留位于所述底部金属层底部的部分；

在所述底部金属层上设置焊球以形成用于封装的凸块。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：在所述底部金属层的顶部形成保护层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述底部金属层的方法包括：

在所述种子层上形成第一图形化的光刻胶层，所述第一图形化的光刻胶层具有暴露拟形成所述底部金属层的区域的第一开口；

在所述第一开口中形成位于所述种子层之上的所述底部金属层；

去除所述第一图形化的光刻胶层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一开口的尺寸小于所述凸块的目标尺寸。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述底部金属层的侧壁上形成所述保护层的方法包括；

在所述半导体衬底上形成第二图形化的光刻胶层，所述第二图形化的光刻胶层具有暴露所述底部金属层的所述侧壁的第二开口；

在所述底部金属层的所述侧壁上形成所述保护层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二图形化的光刻胶层遮蔽所述底部金属层顶部的中间区域而露出所述底部金属层顶部的外侧区域。

7.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二开口的尺寸与所述凸块的目标尺寸一致。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述保护层与所述焊球采用相同的材料。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述保护层采用锡银合金。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有种子层和位于所述种子层之上的底部金属层；

在所述底部金属层的侧壁以及所述种子层上形成有保护层；

在所述底部金属层上形成有焊球。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层与所述焊球采用相同的材料。

12.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求10或11所述的半导体器件以及与所述半导体器件连接的电子组件。