[发明专利]包括在衬底中设有栅极电极区的晶体管的半导体结构及其形成方法

摘要

本发明涉及包括在衬底中设有栅极电极区的晶体管的半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括主体半导体衬底、位在该衬底上方的电气绝缘层、位在该电气绝缘层上方的主动半导体材料层、以及晶体管。该晶体管包括主动区、栅极电极区、以及隔离接面区。该主动区设于主动半导体材料层中，并且包括源极区、沟道区与漏极区。该栅极电极区设于该主体半导体衬底中，并且具有第一掺杂类型。该隔离接面区形成于该主体半导体衬底中，并且具有与该第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。该隔离接面区使该栅极电极区、与具有该第一掺杂类型的该栅极电极区除外的该主体半导体衬底的一部分分开。

主权项

一种半导体结构，其包含：主体半导体衬底、位在该主体半导体衬底上方的电气绝缘层、及位在该电气绝缘层上方的主动半导体材料层；以及晶体管，其包含：设于该主动半导体材料层中的主动区，该主动区包含源极区、沟道区与漏极区；置于该主体半导体衬底并具有第一掺杂类型的栅极电极区，该栅极电极区的至少一部分直接配置于该沟道区下面的该电气绝缘层的一部分下面，其中该晶体管不包含置于该主体半导体衬底中的该栅极电极区除外的栅极电极。