[发明专利]一种半导体衬底的制作方法有效
| 申请号： | 201710208601.5 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108666209B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体衬底的制作方法，通过提供一衬底；于所述衬底上形成外延层；以第一波长的激光，对所述衬底和所述外延层进行第一激光退火；以第二波长的激光，对所述外延层进行第二激光退火；其中，所述第一波长大于所述第二波长。两次激光退火能够有效去除衬底和外延层交界面，以及外延层内的杂质缺陷，有效提高半导体衬底的质量；而且，激光退火能够在较短的时间内完成，缩短半导体衬底的制备时间，有效提高半导体衬底的制作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：提供一衬底；于所述衬底上形成外延层；以第一波长的激光，对所述衬底和所述外延层进行第一激光退火；以第二波长的激光，对所述外延层进行第二激光退火；所述第一波长大于所述第二波长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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