[发明专利]一种半导体衬底的制作方法有效
| 申请号： | 201710208601.5 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108666209B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 制作方法 | ||
1.一种半导体衬底的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
提供一衬底；
于所述衬底上形成外延层，所述衬底与所述外延层的交界面上及所述外延层的内部具有杂质缺陷，所述杂质包括氧、碳和/或金属，所述缺陷包括COP缺陷；
以第一波长的激光，对所述衬底和所述外延层进行第一激光退火，所述第一激光退火的作用位置处于所述衬底和所述外延层的交界面上，以将该交界面上的所述杂质缺陷清除；
以第二波长的激光，对所述外延层进行第二激光退火，所述第二激光退火的作用位置处于所述外延层内，以将所述外延层内的杂质缺陷清除；
所述第一波长大于所述第二波长。
2.根据权利要求1所述的半导体衬底的制作方法，其特征在于，所述第二激光退火的作用位置与所述外延层顶面的间距介于3μm至10μm。
3.根据权利要求1所述的半导体衬底的制作方法，其特征在于，所述第一波长介于600nm至1060nm。
4.根据权利要求1所述的半导体衬底的制作方法，其特征在于，所述第二波长介于100nm至500nm。
5.根据权利要求1所述的半导体衬底的制作方法，其特征在于，所述外延层的厚度介于8μm至20μm。
6.根据权利要求1所述的半导体衬底的制作方法，其特征在于，
以第二波长的激光，对所述衬底和所述外延层进行第二激光退火之前，还包括：
于所述外延层上形成阻挡层，所述阻挡层用于定义制备集成电路的芯片区；
所述以第二波长的激光，对所述外延层进行第二激光退火，包括：
所述第二激光退火的作用区域覆盖所述芯片区。
7.根据权利要求1所述的半导体衬底的制作方法，其特征在于，所述第一激光退火和所述第二激光退火均在氮气氛围中进行。
8.根据权利要求1所述的半导体衬底的制作方法，其特征在于，所述第一激光退火和/或所述第二激光退火使用的激光器为宽发射域型激光器。
9.根据权利要求1所述的半导体衬底的制作方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述外延层为硅外延层。
10.根据权利要求9所述的半导体衬底的制作方法，其特征在于，所述硅外延层以SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4和Si2Cl6中的一种或多种的组合作为反应气体生成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710208601.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：半导体器件及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
