[发明专利]没有多晶硅发射极的联栅晶体管在审
| 申请号： | 201710207338.8 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106920835A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 李思敏 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/80 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司11100 | 代理人： | 张晶,郭佩兰 |
| 地址： | 100011 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种没有多晶硅发射极的联栅晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有N型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接发射极金属层，其特点是所述基极金属层与浓基区汇流条的上表面相连接，所述浓基区上面与发射区连接。本发明的优点是能够提供更均匀的电流分布，具有较强的抗冲击能力，具有更好的一致性，而且成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | 没有 多晶 发射极 晶体管 | ||
【主权项】：
一种没有多晶硅发射极的联栅晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有高掺杂浓度的N型发射区，该N型发射区的上面连接着发射极金属层，N型发射区的下面有P型基区，P型基区的侧面连着掺杂浓度比基区高的P型浓基区，P型浓基区与P型浓基区汇流条正交，硅衬底片的上方有基极金属层，硅衬底片的上层N型高电阻率层位于P型基区和P型浓基区以下的部分为集电区，硅衬底片的N型低电阻率层为集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：所述基极金属层与P型浓基区汇流条的上表面相连接；所述P型浓基区的上面与发射区连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李思敏，未经李思敏许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710207338.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
