[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜的硒化方法在审
| 申请号： | 201710202998.7 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107093639A | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 袁晓杰;张军;彭峰 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 许菲菲 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜的硒化方法，涉及半导体光电材料技术领域；该方法包括如下步骤)以乙二硫醇和乙二胺混合液为溶剂，溶解硒粉制备硒溶胶；控制硒粉在硒溶胶的质量浓度为0.15～0.18g/mL；2)通过旋涂‐烘烤的方法在铜锌锡硫前驱薄膜的上表面制备硒薄膜；3)在直接快速退火工艺中实现铜锌锡硫前驱薄膜的硒化，制备出达到铜锌锡硫硒太阳能电池吸收层要求的大晶粒铜锌锡硫硒薄膜。对比一般使用外部硒源快速硒化的工艺，本发明能促进硒化过程中硒源向铜锌锡硫薄膜的内部扩散，减少薄膜硒化过程中使用硒粉的量，能制备出达到铜锌锡硫硒太阳能电池吸收层要求的大晶粒铜锌锡硫硒薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜锌锡硫 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种铜锌锡硫薄膜的硒化方法，其特征在于包括如下步骤：1)以乙二硫醇和乙二胺混合液为溶剂，溶解硒粉制备硒溶胶；控制硒粉在硒溶胶的质量浓度为0.15～0.18g/mL；2)通过旋涂‐烘烤的方法在铜锌锡硫前驱薄膜的上表面制备硒薄膜；3)在直接快速退火工艺中实现铜锌锡硫前驱薄膜的硒化，制备出达到铜锌锡硫硒太阳能电池吸收层要求的大晶粒铜锌锡硫硒薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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