[发明专利]一种防时序侧通道攻击的内存刷新控制方法及装置在审
| 申请号： | 201710202202.8 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107017016A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王颖;刘波;李华伟;刘超伟;高瑛珂;刘国培;李晓维 | 申请（专利权）人： | 中国科学院计算技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G06F21/55 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 祁建国,梁挥 |
| 地址： | 100080 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种防时序侧通道攻击的内存刷新控制方法及装置，涉及计算机存储器安全技术领域，该方法包括设置刷新干扰机制，其中设置干扰范围为M毫秒，所述刷新干扰机制将在时刻tn时的所述DRAM中初始刷新操作RFn随机地提前或推迟时间m0，以使所述初始刷新操作RFn的发送时刻为tn±m0,m0≤M。本发明只是将原有的刷新操作进行随机，并不减少总的刷新数目，对内存系统性能几乎不会有影响，同时能够将干扰后的请求完成时间序列相似度降低到2％以下，有效地保护了共享内存控制器的时序信道。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 时序 通道 攻击 内存 刷新 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种防时序侧通道攻击的内存刷新控制方法，基于DRAM的时序信道，其特征在于，包括：设置刷新干扰机制，其中设置干扰范围为M毫秒，所述刷新干扰机制将在时刻tn时的所述DRAM中初始刷新操作RFn随机地提前或推迟时间m0，以使所述初始刷新操作RFn的发送时刻为tn±m0,m0≤M。
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