[发明专利]存储器装置有效
| 申请号： | 201710201096.1 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108122574B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 许国原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/418 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器装置包括：存储单元，用以存储数据位，所述存储单元包括至少一个读取晶体管，所述至少一个读取晶体管用以当所述数据位被读取时形成放电路径或泄漏路径；导电线，耦合至所述读取晶体管；以及至少一个第一跟踪晶体管，耦合至所述导电线，且用以提供具有第一电流电平的第一电流信号，所述第一电流电平跟踪第二电流信号的第二电流电平，其中所述第二电流信号是在形成所述放电路径及所述泄漏路径中的一者时提供，且其中所述第一电流信号及所述第二电流信号用于确定所述数据位的逻辑状态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其特征在于，包括：存储单元，用以存储数据位，所述存储单元包括至少一个读取晶体管，所述至少一个读取晶体管用以当所述数据位被读取时形成放电路径或泄露路径；导电线，耦合至所述读取晶体管；以及至少一个第一跟踪晶体管，耦合至所述导电线，且用以提供具有第一电流电平的第一电流信号，所述第一电流电平跟踪第二电流信号的第二电流电平，其中所述第二电流信号是在形成所述放电路径及所述泄露路径中的一者时提供，且其中所述第一电流信号及所述第二电流信号用于确定所述数据位的逻辑状态。
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