[发明专利]超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器在审
申请号: | 201710196501.5 | 申请日: | 2017-03-29 |
公开(公告)号: | CN107147372A | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 杨漫菲;王磊;孙博文;陈庆;方堃 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03H17/00 | 分类号: | H03H17/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种适用于CMOS和BiCMOS工艺的具有超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器。该六位数控衰减器,包括了一个升压模块、一个电压转换模块和六个级联的基本衰减单元。该衰减器主要利用三极管管栅极电压升高的工作特性与其温度升高时的工作特性相反的性质,使施加单元衰减模块加载的栅极电压随温度正相关。其次,利用三级管栅极接地的等效电容与温度正相关的特性减少衰减器的衰减附加相移。本发明显著降低了器件的不良温度特性对数控衰减器工作性能的影响。该方案适用于毫米波单片集成电路领域,对军事作战及航空航天的电路系统有极大的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 耐温 范围 高精度 数控 衰减器 | ||
【主权项】:
超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器,所述超宽耐温范围的衰减器包括升压模块(201)、可变电压转换模块(501)和六个衰减单元(101‑106)。在电路工作时,通过模拟到地晶体管、升压模块和电压转换模块后,改善了器件的温度不良特性,使得衰减器在‑55℃~125℃范围内工作性能优异。
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