[发明专利]超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器

权利要求书

1.超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器，所述超宽耐温范围的衰减器包括升压模块(201)、可变电压转换模块(501)和六个衰减单元(101-106)。在电路工作时，通过模拟到地晶体管、升压模块和电压转换模块后，改善了器件的温度不良特性，使得衰减器在-55℃～125℃范围内工作性能优异。

2.如权利要求1所述超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器，其特征在于：每个衰减单元(101-106)的并联到地支路都包括了一个模拟到地电容管(Q23、Q26、Q28、Q30、Q34、Q35、Q38和Q40)，该结构利用三极管栅极接地的等效电容与温度负相关的特性减少了不同温度下衰减器的衰减附加相移。该结构的优势在于节省了原来的电容补偿模块，使得电路结构紧凑，芯片面积小。

3.如权利要求1所述超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器，其特征在于：七个相同的升压模块(201)包括反相器(inverter)、NFET管(Q41-Q44)和PFET管(Q45-48)。此结构主要是把6条1.2V控制的信号抬升到10条2.5V的控制信号，节省了CPU输出的信号个数。

4.如权利要求1所言所述超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器，其特征在于：可变电压转化模块(501)包括稳流FET管(Q1-Q20)、控制电压变化温度电阻(R1-R0)和直流隔离电阻(R21-R30)。此结构在于使用电阻与温度的正相关特性，产生随温度升高而升高的电压，改善器件随温度上升其插入损耗变小的特征，从而使数控衰减器的工作性能在-55℃～125℃趋于稳定。