[发明专利]在集成电路上生成数据集的方法、集成电路及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710192398.7 申请日: 2017-03-28
公开(公告)号: CN108243003B 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 曾柏皓;许凯捷;李峰旻;林昱佑 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H04L9/32 分类号: H04L9/32
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种在包含可编程电阻式存储单元的集成电路上生成数据集的方法,包含施加形成脉冲到可编程电阻式存储单元集合中的所有成员。形成脉冲具有形成脉冲电平,特色在于,在该集合的第一子集中引发从初始电阻范围到中间电阻范围的电阻变化,而在形成脉冲之后,该集合的第二子集具有落在该中间范围外的电阻。所述方法包含施加编程脉冲到第一子集和第二子集。编程脉冲具有编程脉冲电平,特色在于,引发第一子集从中间范围到第一最终范围的电阻变化,而在编程脉冲之后,第二子集具有在第二最终范围中的电阻,第一子集和第二子集借此储存所述数据集。
搜索关键词: 集成电路 生成 数据 方法 及其 制造
【主权项】:
1.一种在一集成电路上生成一数据集的方法,该集成电路包含多个可编程电阻式存储单元,该方法包括:施加一形成脉冲到所述可编程电阻式存储单元的一集合中的所有成员,该形成脉冲具有一形成脉冲电平,该形成脉冲电平的特色在于,在所述可编程电阻式存储单元的该集合的一第一子集中,引发从一初始电阻范围到一中间电阻范围的电阻变化,而在该形成脉冲之后,所述可编程电阻式存储单元的该集合的一第二子集具有落在该中间电阻范围之外的电阻;以及施加一编程脉冲到所述可编程电阻式存储单元的该第一子集和该第二子集,该编程脉冲具有一编程脉冲电平,该编程脉冲电平的特色在于,引发该第一子集从该中间电阻范围到一第一最终电阻范围的电阻变化,而在该编程脉冲之后,所述可编程电阻式存储单元的该第二子集具有在一第二最终电阻范围中的电阻,该第二最终电阻范围与该第一最终电阻范围不重叠,所述可编程电阻式存储单元的该集合的该第一子集和该第二子集借此储存所述数据集。
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