[发明专利]在集成电路上生成数据集的方法、集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种在一集成电路上生成一数据集的方法，该集成电路包含多个可编程电阻式存储单元，该方法包括：

施加一形成脉冲到所述可编程电阻式存储单元的一集合中的所有成员，该形成脉冲具有一形成脉冲电平，该形成脉冲电平的特色在于，在所述可编程电阻式存储单元的该集合的一第一子集中，引发从一初始电阻范围到一中间电阻范围的电阻变化，而在该形成脉冲之后，所述可编程电阻式存储单元的该集合的一第二子集具有落在该中间电阻范围之外的电阻；以及

施加一编程脉冲到所述可编程电阻式存储单元的该第一子集和该第二子集，该编程脉冲具有一编程脉冲电平，该编程脉冲电平的特色在于，引发该第一子集从该中间电阻范围到一第一最终电阻范围的电阻变化，而在该编程脉冲之后，所述可编程电阻式存储单元的该第二子集具有在一第二最终电阻范围中的电阻，该第二最终电阻范围与该第一最终电阻范围不重叠，所述可编程电阻式存储单元的该集合的该第一子集和该第二子集借此储存所述数据集。

2.如权利要求1所述的方法，包含在施加该形成脉冲之前，通过测试该集成电路上的所述可编程电阻式存储单元中的一些可编程电阻式存储单元，找出该形成脉冲电平。

3.如权利要求1所述的方法，包含在施加该形成脉冲之前，借由包括下列步骤的一方法，找出该形成脉冲电平：

以迭代方式施加具有一测试脉冲电平的一测试脉冲到所述可编程电阻式存储单元的一测试集合，以及决定在该测试集合中具有在该中间电阻范围中的电阻的所述可编程电阻式存储单元的一比例，并且，如果该比例低于一阈值，更新该测试脉冲电平，在不同的一测试集合上重复所述施加该测试脉冲的步骤和所述决定的步骤，直到所决定的比例达到该阈值，并且，基于在达到该阈值的一迭代中的该测试脉冲电平，设定该形成脉冲电平。

4.如权利要求1所述的方法，包含使用一读取电压感测该数据集，该读取电压用在介于该第一最终电阻范围与该第二最终电阻范围之间的电阻，其中该第一最终电阻范围和该第二最终电阻范围由一读取限度分离，该读取限度大于该初始电阻范围与该中间电阻范围之间的限度。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述可编程电阻式存储单元包括多个可编程电阻式存储元件，所述可编程电阻式存储元件的特色在于，在一高电阻范围中的一初始电阻，其中该中间电阻范围低于该高电阻范围，该第一最终电阻范围低于该中间电阻范围，该第二最终电阻范围高于该第一最终电阻范围。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述可编程电阻式存储单元包括多个可编程电阻式存储元件，所述可编程电阻式存储元件的特色在于，在一低电阻范围中的一初始电阻，其中该中间电阻范围高于该低电阻范围，该第一最终电阻范围高于该中间电阻范围，该第二最终电阻范围低于该第一最终电阻范围。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述可编程电阻式存储单元包括多个可编程电阻式存储元件，并且，所述施加该形成脉冲的步骤使得连接该第一子集中的所述可编程电阻式存储单元的第一电极和第二电极的一导电细丝形成，且并未使得连接该第二子集中的所述可编程电阻式存储单元的第一电极和第二电极的一导电细丝形成。

8.如权利要求7所述的方法，其中该编程脉冲稳定并加强该第一子集中的所述可编程电阻式存储单元的该导电细丝的导电性，且并未使得该第二子集中的所述可编程电阻式存储单元的一导电细丝形成。