[发明专利]一种减小由光刻工件台吸附导致硅片形变的方法

摘要

本发明公开了一种减小由光刻工件台吸附导致硅片形变的方法,首先通过测量得到无吸附力时的硅片下表面高低形貌分布，而后在光刻工件台上施加吸附力，并在模拟计算出硅片上表面的高低形貌分布后对该分布进行检查，以确保吸附后的硅片上表面的高低形貌均处在工件台调焦范围内，尽可能的形成理想平面，这一方法减小了由光刻工件台吸附导致硅片形变,从而减小吸附力产生的在工件台平面上的套刻误差，提高了产品良率。

主权项

1.一种减小由光刻工件台吸附导致硅片形变的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：将硅片反置在工作台上，使硅片下表面朝上，在硅片与工作台间无吸附力的情况下，利用调平调焦系统测量硅片下表面的高低形貌分布z1(xi,yi)，其中xi,yi是测量点的坐标，i是测量点的编号，共测量n个点；步骤S02：将硅片翻转180°，使硅片上表面朝上，对硅片施加吸附力F,在硅片与工作台间有吸附力的情况下，利用调平调焦系统测量硅片上表面的高低形貌分布z2(xi,yi)，测量点的数量和分布与步骤S01中测量下表面时相同；步骤S03：根据步骤S01和S02中测得的硅片上、下表面的高低形貌分布z1(xi,yi)和z2(xi,yi)计算上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′2(xi,yi)；步骤S04：根据上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′2(xi,yi)调整吸附力F，使硅片上表面的形貌均处在工件台调焦范围内。