[发明专利]一种减小由光刻工件台吸附导致硅片形变的方法

权利要求书

1.一种减小由光刻工件台吸附导致硅片形变的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01：将硅片反置在工作台上，使硅片下表面朝上，在硅片与工作台间无吸附力的情况下，利用调平调焦系统测量硅片下表面的高低形貌分布z₁(x_i,y_i)，其中x_i,y_i是测量点的坐标，i是测量点的编号，共测量n个点；

步骤S02：将硅片翻转180°，使硅片上表面朝上，对硅片施加吸附力F,在硅片与工作台间有吸附力的情况下，利用调平调焦系统测量硅片上表面的高低形貌分布z₂(x_i,y_i)，测量点的数量和分布与步骤S01中测量下表面时相同；

步骤S03：根据步骤S01和S02中测得的硅片上、下表面的高低形貌分布z₁(x_i,y_i)和z₂(x_i,y_i)计算上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′₂(x_i,y_i)；

步骤S04：根据上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′₂(x_i,y_i)调整吸附力F，使硅片上表面的形貌均处在工件台调焦范围内。

2.根据权利要求1所述的一种减小由光刻工件台吸附导致硅片形变的方法，其特征在于，所述步骤S03中，所述上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′₂(x_i,y_i)的计算方法为：

步骤S041：计算由吸附力F造成的硅片变形Δh(x_i,y_i)；

步骤S042：计算上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′₂(x_i,y_i)，z′₂(x_i,y_i)＝z₂(x_i,y_i)+z₁(x_i,y_i)-Δh(x_i,y_i)。

3.根据权利要求1所述的一种减小由光刻工件台吸附导致硅片形变的方法，其特征在于，所述步骤S04中，所述调整吸附力F的方法为：

步骤S051：根据最小二乘法，对上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′₂(x_i,y_i)进行拟合，得到其拟合平面其计算公式为：使得所有的测量点的高低形貌与该拟合平面之间的距离差的平方和最小；

步骤S052：计算上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′₂(x_i,y_i)与其拟合平面之间的相对距离Δz₂(x_i,y_i)，即

步骤S053：比较相对距离Δz₂(x_i,y_i)与预先设定的系统对焦误差δ，如果对于n个测量点均满足相对距离Δz₂(x_i,y_i)的绝对值小于系统对焦误差δ，则完成吸附力调节；如果相对距离Δz₂(x_i,y_i)大于零且大于系统对焦误差δ，则增大吸附力F并转回步骤S03；如果相对距离Δz₂(x_i,y_i)小于零且其绝对值大于系统对焦误差δ，则减小吸附力F并转回步骤S03。

4.根据权利要求1所述的一种减小由光刻工件台吸附导致硅片形变的方法，其特征在于，所述步骤S01和S02中，所述调平调焦系统与处理器相连，将上表面和下表面的形貌高低分布的结果传送给处理器。