[发明专利]一种双波段探测器

摘要

一种双面红外/紫外双波段探测器，包括衬底，其上生长N型GaN层；N型GaN层上划分第一区域和第二区域，第一区域上制作i型GaN层；i型GaN层上生长P型GaN层；P型GaN层上制作Ni/Au电极；第二区域制作SiO2钝化层，SiO2钝化层上制作多孔SiO2隔热层，多孔SiO2隔热层上制作红外热吸收层，红外热吸收层上制作PZT薄膜层以及下电极，PZT薄膜层上制作上电极；蓝宝石衬底下表面对应于第二区域的位置制作GaN缓冲层，GaN缓冲层上制作SiO2钝化层，SiO2钝化层上制作多孔SiO2隔热层，多孔SiO2隔热层上制作红外热吸收层，红外热吸收层上制作PZT薄膜层，PZT薄膜层上制作上电极。

主权项

一种双面红外/紫外双波段探测器，包括：衬底，其上生长N型GaN层；所述N型GaN层上划分第一区域和第二区域，所述第一区域上制作i型GaN层，一侧制作In/ Au 电极；所述i型GaN层上生长P型GaN层；所述P型GaN层上制作Ni/Au电极；所述第二区域制作SiO2钝化层，所述SiO2钝化层上制作多孔SiO2隔热层，所述多孔SO2隔热层上制作红外热吸收层，所述红外热吸收层上制作PZT薄膜层以及下电极，所述PZT薄膜层上制作上电极；所述蓝宝石衬底下表面对应于第二区域的位置制作GaN缓冲层，所述GaN缓冲层上制作SiO2钝化层，所述SiO2钝化层上制作多孔SiO2隔热层，所述多孔SiO2隔热层上制作红外热吸收层，所述红外热吸收层上制作PZT薄膜层以及下电极，所述PZT薄膜层上制作上电极。