[发明专利]一种双波段探测器

权利要求书

1.一种双面红外/紫外双波段探测器，包括：衬底，其上生长N型GaN层；所述N型GaN层上划分第一区域和第二区域，所述第一区域上制作i型GaN层，一侧制作In/ Au 电极；所述i型GaN层上生长P型GaN层；所述P型GaN层上制作Ni/Au电极；所述第二区域制作SiO₂钝化层，所述SiO₂钝化层上制作多孔SiO₂隔热层，所述多孔SO₂隔热层上制作红外热吸收层，所述红外热吸收层上制作PZT薄膜层以及下电极，所述PZT薄膜层上制作上电极；所述蓝宝石衬底下表面对应于第二区域的位置制作GaN缓冲层，所述GaN缓冲层上制作SiO₂钝化层，所述SiO₂钝化层上制作多孔SiO₂隔热层，所述多孔SiO₂隔热层上制作红外热吸收层，所述红外热吸收层上制作PZT薄膜层以及下电极，所述PZT薄膜层上制作上电极。

2.根据权利要求1所述的双面红外/紫外双波段探测器，其特征在于：所述衬底为蓝宝石（Al₂O₃）衬底，碳化硅（SiC）衬底，氮化铝（AlN）衬底。

3.根据权利要求2所述的双面红外/紫外双波段探测器，其特征在于：所述In/ Au 电极通过电子束蒸发形成。

4.根据权利要求3所述的双面红外/紫外双波段探测器，其特征在于：所述Ni/Au电极通过电子束蒸发形成。

5.根据权利要求4所述的双面红外/紫外双波段探测器，其特征在于：所述红外热吸收层为LaNiO₃。

根据权利要求5所述的双面红外/紫外双波段探测器，其特征在于：所述下电极为Au电极。

6.根据权利要求6所述的双面红外/紫外双波段探测器，其特征在于：所述上电极为Pt电极。