[发明专利]基于硅波导的电光超快空间调制器在审
| 申请号： | 201710182891.0 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106873192A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 白冰;裴丽;王吉;张艳;徐春霞 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙)11392 | 代理人： | 董琪 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 基于硅波导的电光空间超快调制器，涉及电光超快调制器领域。导光硅波导2覆于SiO2平板基底1之上中间位置，P+区3与N+区4周期性排列至基底表面两端，正电极5与负电极6与P区N区接触，用于施加电压。将调制信号编辑成随时间变化的空间电信号阵列，正电极阵列5的各单元正电极与负电极阵列6的各单元正电极分别连接于P区N区施加该空间电信号阵列。通过对各正负电极对间电压的控制施加随时间变化的空间电信号阵列，可以将任意的调制信号加载到载波上。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 波导 电光 空间 调制器 | ||
【主权项】：
基于硅波导的电光空间超快调制器，该调制器主要包括SiO2平板基底1、导光多晶硅波导2、P+区3、N+区4、正电极5、负电极6(图1)。具体组合方式为导光硅波导2覆于SiO2平板基底1之上中间位置，P+区3与N+区4周期性排列至基底表面两端，正电极5与负电极6与P区N区接触，用于施加电压。
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