[发明专利]基于硅波导的电光超快空间调制器在审
| 申请号： | 201710182891.0 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106873192A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 白冰;裴丽;王吉;张艳;徐春霞 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙)11392 | 代理人： | 董琪 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 波导 电光 空间 调制器 | ||
【权利要求书】：
1.基于硅波导的电光空间超快调制器，该调制器主要包括SiO2平板基底1、导光多晶硅波导2、P+区3、N+区4、正电极5、负电极6(图1)。具体组合方式为导光硅波导2覆于SiO2平板基底1之上中间位置，P+区3与N+区4周期性排列至基底表面两端，正电极5与负电极6与P区N区接触，用于施加电压。
2.将调制信号编辑成随时间变化的空间电信号阵列，通过对各正负电极对间电压的控制施加随时间变化的空间电信号阵列，可以将任意的调制信号加载到载波上。
3.根据权利要求1中描述的结构，各部分具体参数描述为：硅层厚度为1μm，导光硅波导为脊宽1μm，脊高1μm，通过刻蚀0.42μm硅制成波导结构，0.58μm的平板区用来实现电通道，金属接触区实现1*10^19的掺杂区，相邻单元间距为600μm，单元数12，整个平板基底5尺寸为15mm×1mm。
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