[发明专利]一种多腔室间气氛隔离装置及方法在审
| 申请号： | 201710179599.3 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108624858A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 兰立广 | 申请（专利权）人： | 北京创昱科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C16/455;C23C16/54 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 汤财宝 |
| 地址： | 102209 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及结构制备技术领域，尤其涉及一种多腔室间气氛隔离装置及方法，气氛隔离装置包括第一反应腔室和第二反应腔室，两个反应腔室之间设有隔离间室，隔离间室内设有第一隔离墙和第二隔离墙；第一隔离墙和第二隔离墙共同围成进气腔，进气腔两侧形成第一隔离腔和第二隔离腔；第一隔离墙的顶部和第二隔离墙的顶部分别设有连通进气腔和对应的隔离腔的第一进气狭缝和第二进气狭缝；第一反应腔室和第二反应腔室的侧壁底部分别设有连通对应的反应腔室和隔离腔的第一排气狭缝和第二排气狭缝；第一隔离腔和第二隔离腔的底部均设有出气口；进气腔连接有进气口。实现两个腔室间气体良好密封的同时，两个反应腔室的工艺气体不会接触。 | ||
| 搜索关键词： | 反应腔室 隔离腔 隔离墙 进气腔 气氛隔离装置 排气狭缝 多腔室 隔离间 进气 狭缝 连通 进气口 制备技术领域 半导体器件 工艺气体 出气口 侧壁 腔室 密封 室内 | ||
【主权项】：
1.一种多腔室间气氛隔离装置，其特征在于：包括第一反应腔室和第二反应腔室，所述第一反应腔室与所述第二反应腔室之间设有隔离间室，所述隔离间室内设有第一隔离墙和第二隔离墙；所述第一隔离墙和第二隔离墙共同围成进气腔，所述第一隔离墙与所述第一反应腔室的侧壁共同形成第一隔离腔，所述第二隔离墙与所述第二反应腔室的侧壁共同形成第二隔离腔；所述第一隔离墙的顶部设有连通所述进气腔和所述第一隔离腔的第一进气狭缝，所述第二隔离墙的顶部设有连通所述进气腔和所述第二隔离腔的第二进气狭缝；所述第一反应腔室的侧壁底部设有连通所述第一反应腔室和第一隔离腔的第一排气狭缝，所述第二反应腔室的侧壁底部设有连通所述第二反应腔室和第二隔离腔的第二排气狭缝；所述第一隔离腔和第二隔离腔的底部分别设有第一出气口和第二出气口，用于连接抽气装置；所述进气腔连接有进气口，用于连接充气装置。
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