[发明专利]多晶硅及其制造方法在审
| 申请号： | 201710165270.1 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106927467A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | R·佩赫;E·多恩贝格尔 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C30B29/06;B07B7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 李振东,过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅，其包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有10至40mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于100ppbw的表面金属杂质。本发明还涉及多晶硅的制造方法，其包括将在西门子反应器中于细棒上沉积的多晶硅破碎成碎块，将碎块分级成从约0.5mm至大于45mm的尺寸等级，及对硅碎块利用压缩空气或干冰进行处理，从而从碎块去除硅尘，其中不对碎块实施湿化学清洁。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
多晶硅的制造方法，其包括将在西门子反应器中于细棒上沉积的多晶硅破碎成碎块，将碎块分级成从约0.5mm至大于45mm的尺寸等级，及对硅碎块利用干冰在1至20巴的气体压力下以至少2m/s的气体速度进行处理，从而从碎块去除硅尘，其中不对碎块实施湿化学清洁，其中所述多晶硅包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有10至40mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于2.5ppbw的表面金属杂质，大于或等于0.01ppbw且小于或等于0.5ppbw的表面铁杂质，及大于或等于0.01ppbw且小于或等于1ppbw的表面钨杂质。
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