[发明专利]多晶硅及其制造方法

权利要求书

1.多晶硅的制造方法，其包括将在西门子反应器中于细棒上沉积的多晶硅破碎成碎块，将碎块分级成从约0.5mm至大于45mm的尺寸等级，及对硅碎块利用干冰在1至20巴的气体压力下以至少2m/s的气体速度进行处理，从而从碎块去除硅尘，其中不对碎块实施湿化学清洁，其中所述多晶硅包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有10至40mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于2.5ppbw的表面金属杂质，大于或等于0.01ppbw且小于或等于0.5ppbw的表面铁杂质，及大于或等于0.01ppbw且小于或等于1ppbw的表面钨杂质。

2.多晶硅的制造方法，其包括将在西门子反应器中于细棒上沉积的多晶硅破碎成碎块，将碎块分级成从约0.5mm至大于45mm的尺寸等级，及对硅碎块利用干冰在1至20巴的气体压力下以至少2m/s的气体速度进行处理，从而从碎块去除硅尘，其中不对碎块实施湿化学清洁，其中所述多晶硅包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有20至60mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于2.0ppbw的表面金属杂质，大于或等于0.01ppbw且小于或等于0.5ppbw的表面铁杂质，及大于或等于0.01ppbw且小于或等于1ppbw的表面钨杂质。

3.多晶硅的制造方法，其包括将在西门子反应器中于细棒上沉积的多晶硅破碎成碎块，将碎块分级成从约0.5mm至大于45mm的尺寸等级，及对硅碎块利用干冰在1至20巴的气体压力下以至少2m/s的气体速度进行处理，从而从碎块去除硅尘，其中不对碎块实施湿化学清洁，其中所述多晶硅包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有大于45mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于1.5ppbw的表面金属杂质，大于或等于0.01ppbw且小于或等于0.5ppbw的表面铁杂质，及大于或等于0.01ppbw且小于或等于0.5ppbw的表面钨杂质。

4.多晶硅的制造方法，其包括将在西门子反应器中于细棒上沉积的多晶硅破碎成碎块，将碎块分级成从约0.5mm至大于45mm的尺寸等级，及对硅碎块利用干冰在1至20巴的气体压力下以至少2m/s的气体速度进行处理，从而从碎块去除硅尘，其中不对碎块实施湿化学清洁，其中所述多晶硅包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有3至15mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于45ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于30ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于20ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于1ppmw的表面金属杂质，大于或等于0.01ppbw且小于或等于1.0ppbw的表面铁杂质，及大于或等于0.01ppbw且小于或等于10ppbw的表面钨杂质。

5.多晶硅的制造方法，其包括将在西门子反应器中于细棒上沉积的多晶硅破碎成碎块，将碎块分级成从约0.5mm至大于45mm的尺寸等级，及对硅碎块利用干冰在1至20巴的气体压力下以至少2m/s的气体速度进行处理，从而从碎块去除硅尘，其中不对碎块实施湿化学清洁，其中所述多晶硅包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有0.5至5mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于70ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于62ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于60ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于40ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于10ppmw的表面金属杂质，大于或等于0.01ppbw且小于或等于5.0ppbw的表面铁杂质，及大于或等于0.01ppbw且小于或等于10ppbw的表面钨杂质。