[发明专利]一种Ar粒子辐照增强Cr掺杂ZnO薄膜铁磁性的方法在审
| 申请号： | 201710163676.6 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106920623A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘学超;陈卫宾;卓世异;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F41/32;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人： | 曹芳玲,郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Ar粒子辐照增强Cr掺杂ZnO薄膜铁磁性的方法，以一定剂量的Ar粒子对Cr掺杂ZnO薄膜进行辐照，所述Cr掺杂ZnO薄膜的化学式为Zn1‑xCrxO，其中0＜x≤0.05。本发明方法稳定有效，可以在不破坏材料的前提下对ZnO基稀磁半导体薄膜的铁磁性进行有效显著的增强，有利于基于稀磁半导体材料的自旋电子器件的发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ar 粒子 辐照 增强 cr 掺杂 zno 薄膜 铁磁性 方法 | ||
【主权项】：
一种Ar粒子辐照增强Cr掺杂ZnO薄膜铁磁性的方法，其特征在于，以一定剂量的Ar粒子对Cr掺杂ZnO薄膜进行辐照，所述Cr掺杂ZnO薄膜的化学式为Zn1‑xCrxO，其中0＜ x≤0.05。
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