[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201710158486.5 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108622849A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供第一半导体结构，该第一半导体结构包括：第一部件，该第一部件包括互相间隔开的多层膜；以及在该第一部件上的第一结合件；在该第一部件上形成抗粘滞材料层，其中，该抗粘滞材料层覆盖在该多层膜上；提供第二半导体结构，该第二半导体结构包括：第二部件和在该第二部件上的第二结合件；以及将第一结合件和第二结合件结合，以将第一部件和第二部件结合在一起。本发明解决了半导体装置中多层膜的粘滞问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 结合件 半导体装置 多层膜 材料层 抗粘 半导体技术领域 制造 部件结合 互相间隔 粘滞 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：第一部件，所述第一部件包括互相间隔开的多层膜；以及在所述第一部件上的第一结合件；在所述第一部件上形成抗粘滞材料层，其中，所述抗粘滞材料层覆盖在所述多层膜上；提供第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：第二部件和在所述第二部件上的第二结合件；以及将所述第一结合件和所述第二结合件结合，以将所述第一部件和所述第二部件结合在一起。
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