[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：第一部件，所述第一部件包括互相间隔开的多层膜；以及在所述第一部件上的第一结合件；

在所述第一部件上形成抗粘滞材料层，其中，所述抗粘滞材料层覆盖在所述多层膜上；

提供第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：第二部件和在所述第二部件上的第二结合件；以及

将所述第一结合件和所述第二结合件结合，以将所述第一部件和所述第二部件结合在一起。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一部件上形成抗粘滞材料层的步骤包括：

对所述第一结合件的表面进行等离子体处理，以在所述第一结合件的表面上形成保护层；

在所述第一部件和所述第一结合件之上形成抗粘滞材料层，所述抗粘滞材料层覆盖在所述多层膜和所述保护层上；以及

去除所述抗粘滞材料层的在所述保护层上的部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

通过以下条件执行所述等离子体处理：向等离子体反应腔室中通入氮气，所述腔室内的压强为0.35Pa至1Pa，射频功率为150瓦至300瓦，氮气浓度为40％至60％，偏置电压为-310V至-290V；

其中，所述保护层为含氮的金属化合物层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

通过加热工艺去除所述抗粘滞材料层的在所述保护层上的部分。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述加热工艺所需的温度范围为360℃至440℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一结合件的材料包括铝；

所述第二结合件的材料包括锗。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述抗粘滞材料层的材料包括：CF₃(CF2)₇(CH₂)₂SiCl₃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在提供第一半导体结构的步骤中，所述第一部件还包括：

衬底；

在所述衬底上的第一绝缘物层；以及

在所述第一绝缘物层上的支撑部，所述支撑部包围所述多层膜并且与所述多层膜连接成一体；其中，所述第一绝缘物层、所述支撑部和所述多层膜形成空腔，相邻的所述膜间隔开以形成间隙，所述间隙与所述空腔相通；

其中，在所述第一部件上形成抗粘滞材料层的步骤中，所述抗粘滞材料层通过所述间隙形成在所述多层膜的表面上。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

在提供第一半导体结构的步骤中，所述第一部件还包括：

在所述第一绝缘物层的面向所述空腔侧的表面上的第一接触件；以及

穿过所述支撑部和所述第一绝缘物层的一部分且与所述第一接触件连接的第一导电通孔部；

其中，所述第一结合件形成在所述支撑部上，所述第一结合件与所述第一导电通孔部连接。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在提供第二半导体结构的步骤中，所述第二部件包括：

互补金属氧化物半导体CMOS器件；

在所述CMOS器件上表面上的第二绝缘物层，其中，所述第二结合件形成在所述第二绝缘物层上；

在所述CMOS器件下表面上的第三绝缘物层；

在所述第三绝缘物层上的第二接触件；

穿过所述CMOS器件和所述第三绝缘物层且与所述第二接触件连接的第二导电通孔部；以及

位于所述第二绝缘物层内的金属层，其中，所述CMOS器件、所述第二导电通孔部和所述第二结合件分别与所述金属层连接。