[发明专利]场效应晶体管、存储元件、显示元件和装置及系统的制法有效
| 申请号： | 201710153480.9 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107204291B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 曾根雄司;植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/8242;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉;肖靖泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管、存储和显示元件、显示装置和系统的制法。用于制造包括栅绝缘层、活性层、和钝化层的场效应晶体管的方法。所述方法包括形成所述栅绝缘层的第一过程；和形成所述钝化层的第二过程。所述第一过程和所述第二过程的至少一个包括：形成包含镓、钪、钇、和镧系元素的至少一种以及碱土金属的第一氧化物；和通过使用包含盐酸、草酸、硝酸、磷酸、乙酸、硫酸、和过氧化氢水的至少一种的第一溶液蚀刻所述第一氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 存储 元件 显示 装置 系统 制法 | ||
【主权项】：
用于制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管包括栅绝缘层、活性层、和钝化层，所述方法包括：形成所述栅绝缘层的第一过程；和形成所述钝化层的第二过程,其中所述第一过程和所述第二过程的至少一个包括：形成包含镓、钪、钇、和镧系元素的至少一种以及碱土金属的第一氧化物；和通过使用包含盐酸、草酸、硝酸、磷酸、乙酸、硫酸、和过氧化氢水的至少一种的第一溶液蚀刻所述第一氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
