[发明专利]场效应晶体管、存储元件、显示元件和装置及系统的制法

权利要求书

1.用于制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管包括栅绝缘层、活性层、和钝化层，所述方法包括：

形成所述栅绝缘层的第一过程；和

形成所述钝化层的第二过程,

其中所述第一过程和所述第二过程的至少一个包括：

形成包含镓、钪、钇、和镧系元素的至少一种以及碱土金属的第一氧化物；和

通过使用包含盐酸、草酸、硝酸、磷酸、乙酸、硫酸、和过氧化氢水的至少一种的第一溶液蚀刻所述第一氧化物，

其中所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，

和其中所述第二过程包括：

形成包含第二氧化物的第一钝化层，所述第二氧化物包含硅和碱土金属；

形成包含所述第一氧化物的第二钝化层，所述第二钝化层布置成与所述第一钝化层接触；

使所述第一钝化层与包含氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵、和有机碱的至少一种的第二溶液接触，以蚀刻所述第一钝化层；和

使所述第二钝化层与所述第一溶液接触，以蚀刻所述第二钝化层。

2.根据权利要求1的用于制造场效应晶体管的方法，其中所述第二过程包括：

在所述第二钝化层上形成所述第一钝化层；

在所述第一钝化层上形成掩模；

在形成所述掩模之后，使所述第一钝化层与所述第二溶液接触，以蚀刻所述第一钝化层；

在蚀刻所述第一钝化层之后，使所述第二钝化层与所述第一溶液接触，以蚀刻所述第二钝化层；和

除去所述掩模。

3.根据权利要求1的用于制造场效应晶体管的方法，其中所述第二过程包括：

在所述第一钝化层上形成所述第二钝化层；

在所述第二钝化层上形成掩模；

在形成所述掩模之后，使所述第二钝化层与所述第一溶液接触，以蚀刻所述第二钝化层；

在蚀刻所述第二钝化层之后，使所述第一钝化层与所述第二溶液接触，以蚀刻所述第一钝化层；和

除去所述掩模。

4.根据权利要求1的用于制造场效应晶体管的方法，其中所述栅绝缘层、所述活性层、和所述钝化层形成于绝缘基底上。

5.根据权利要求1的用于制造场效应晶体管的方法，其中所述活性层为半导体基底，和其中所述栅绝缘层和所述钝化层形成于所述半导体基底上。

6.用于制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管包括栅绝缘层和活性层，所述方法包括：

形成所述栅绝缘层的第一过程,

其中所述第一过程包括：

形成包含镓、钪、钇、和镧系元素的至少一种以及碱土金属的第一氧化物；和

通过使用包含盐酸、草酸、硝酸、磷酸、乙酸、硫酸、和过氧化氢水的至少一种的第一溶液蚀刻所述第一氧化物，

其中所述栅绝缘层包括第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，和

其中所述第一过程包括：

形成包含第二氧化物的第一栅绝缘层，所述第二氧化物包含硅和碱土金属；

形成包含所述第一氧化物的第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层布置成与所述第一栅绝缘层接触；

使所述第一栅绝缘层与包含氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵、和有机碱的至少一种的第二溶液接触，以蚀刻所述第一栅绝缘层；和

使所述第二栅绝缘层与所述第一溶液接触，以蚀刻所述第二栅绝缘层。

7.根据权利要求6的用于制造场效应晶体管的方法，其中所述第一过程包括：

在所述第二栅绝缘层上形成所述第一栅绝缘层；

在所述第一栅绝缘层上形成掩模；

在形成所述掩模之后，使所述第一栅绝缘层与所述第二溶液接触，以蚀刻所述第一栅绝缘层；

在蚀刻所述第一栅绝缘层之后，使所述第二栅绝缘层与所述第一溶液接触，以蚀刻所述第二栅绝缘层；和

除去所述掩模。