[发明专利]一种存储单元及非易失性存储器有效
| 申请号： | 201710152613.0 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108630687B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 熊涛;罗啸;许毅胜;刘钊;陈春晖;舒清明 | 申请（专利权）人： | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11553 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储单元及非易失性存储器，其中，存储单元包括：半导体衬底，包括有源区；源区，位于所述有源区的半导体衬底内；栅区，包括依次层叠于所述源区之上且相互绝缘的浮栅和控制栅，其中，所述浮栅至少部分位于所述半导体衬底内，位于所述半导体衬底内的所述浮栅两侧及所述浮栅与所述源区之间形成有一体的隧穿氧化层；第一漏区和第二漏区，分别位于所述浮栅两侧的所述有源区的半导体衬底内。本发明解决了存储单元占据面积大的问题，可缩小非易失性存储器的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底，包括有源区；源区，位于所述有源区的半导体衬底内；栅区，包括依次层叠于所述源区之上且相互绝缘的浮栅和控制栅，其中，所述浮栅至少部分位于所述半导体衬底内，位于所述半导体衬底内的所述浮栅两侧及所述浮栅与所述源区之间形成有一体的隧穿氧化层；第一漏区和第二漏区，分别位于所述浮栅两侧的所述有源区的半导体衬底内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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