[发明专利]半导体结构元件，尤其功率晶体管在审
| 申请号： | 201710141729.4 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107180859A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | S·曼斯菲尔德;S·施魏格尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述一种半导体结构元件(1)，尤其一种功率晶体管，其具有衬底；有源半导体区，该有源半导体区具有至少一个源区(8)和至少一个漏区(10)；覆盖衬底的第一部分的源焊盘(2)和覆盖衬底的第二部分的漏焊盘(4)，其中，在源焊盘(2)或漏焊盘(4)与至少一个源区(8)或至少一个漏区(10)之间布置有基本上水平延伸的、结构化的金属化平面(30)，其中，源焊盘(2)和漏焊盘(4)借助基本上竖直延伸的金属化部(51，52)与金属化平面(30)连接，其中，金属化平面(30)借助基本上竖直延伸的金属化部(53，54)与源区(8)并且与漏区(10)连接。金属化平面(30)可以覆盖有源半导体区面积的至少50％、至少70％或至少90％，以便实现小的总电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 元件 尤其 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体结构元件(1)，尤其一种功率晶体管，该半导体结构元件具有衬底、有源半导体区、源焊盘(2)和漏焊盘(4)，该有源半导体区具有至少一个源区(8)和至少一个漏区(10)，该源焊盘(2)覆盖该衬底的第一部分并且该漏焊盘(4)覆盖该衬底的第二部分，其特征在于，i.在所述源焊盘(2)或所述漏焊盘(4)与所述至少一个源区(8)或所述至少一个漏区(10)之间布置有基本上水平延伸的、结构化的金属化平面(30)，其中ii.所述源焊盘(2)借助基本上竖直延伸的至少一个第一金属化部(51)与所述金属化平面(30)的至少一个第一部分连接，并且，所述漏焊盘(4)借助基本上竖直延伸的至少一个第二金属化部(52)与所述金属化平面(30)的至少一个第二部分连接，其中iii.所述金属化平面(30)的所述至少一个第一部分借助基本上竖直延伸的第三金属化部(53)与所述至少一个源区(8)连接，其中，所述金属化平面(30)的所述至少一个第二部分借助基本上竖直延伸的第四金属化部(54)与所述至少一个漏区(10)连接。
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