[发明专利]半导体结构元件，尤其功率晶体管

权利要求书

1.一种半导体结构元件(1)，尤其一种功率晶体管，该半导体结构元件具有衬底、有源半导体区、源焊盘(2)和漏焊盘(4)，该有源半导体区具有至少一个源区(8)和至少一个漏区(10)，该源焊盘(2)覆盖该衬底的第一部分并且该漏焊盘(4)覆盖该衬底的第二部分，其特征在于，

i.在所述源焊盘(2)或所述漏焊盘(4)与所述至少一个源区(8)或所述至少一个漏区(10)之间布置有基本上水平延伸的、结构化的金属化平面(30)，其中

ii.所述源焊盘(2)借助基本上竖直延伸的至少一个第一金属化部(51)与所述金属化平面(30)的至少一个第一部分连接，并且，所述漏焊盘(4)借助基本上竖直延伸的至少一个第二金属化部(52)与所述金属化平面(30)的至少一个第二部分连接，其中

iii.所述金属化平面(30)的所述至少一个第一部分借助基本上竖直延伸的第三金属化部(53)与所述至少一个源区(8)连接，其中，所述金属化平面(30)的所述至少一个第二部分借助基本上竖直延伸的第四金属化部(54)与所述至少一个漏区(10)连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构元件(1)，其中，所述金属化平面(30)具有如下结构：使得所述有源半导体区的面积的至少50％，优选所述有源半导体区的面积的至少70％并且特别优选所述有源半导体区的面积的至少90％由所述金属化平面(30)覆盖。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构元件(1)，其中，所述至少一个源区(8)和所述至少一个漏区(10)实施为彼此平行定向的条，所述条具有所述源区和漏区(8，10)的条的至少一倍宽度。

4.根据上述权利要求中任一项所述的半导体结构元件(1)，其中，所述金属化平面(30)具有梯形构造的条(32，34)。

5.根据权利要求3或4中所述的半导体结构元件(1)，其中，所述金属化平面(30)的所述条(32，34)的取向相对于所述源焊盘和漏焊盘(2，4)的取向形成30°至150°、尤其90°的角度。

6.根据上述权利要求中任一项所述的半导体结构元件(1)，其中，所述金属化平面(30)具有栅格状或网状的结构。

7.根据上述权利要求中任一项所述的半导体结构元件(1)，其中，要么所述源焊盘(2)环形地或箱形地包围所述漏焊盘(4)，要么所述漏焊盘(4)环形地或箱形地包围所述源焊盘(2)。

8.根据上述权利要求中任一项所述的半导体结构元件(1)，其中，所述半导体结构元件(1)在中间层中具有另一金属化部，所述另一金属化部构造为与所述金属化平面(30)相同类型，其中，所述另一金属化部满足电流分布功能并且布置在所述金属化平面(30)的下方或上方。

9.根据上述权利要求中任一项所述的半导体结构元件(1)，其中，所述金属化平面(30)具有在共同平面中处于不同电势上的至少两个区域(36，38)，所述至少两个区域如此结构化，使得所述至少两个区域齿状地或峰尖状地彼此啮合。

10.一种用于车辆的控制设备，其包括至少一个根据上述权利要求中任一项所述的半导体结构元件(1)。