[发明专利]静电式晶圆吸附座及其制造方法在审
| 申请号： | 201710141535.4 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108573893A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李家铭;梁耀祥;曹荣志;朱炫权;苏贤纮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露提出一种静电式晶圆吸附座及其制造方法，其中静电式晶圆吸附座包含具有第一表面的承载座以及多个突起结构。所述多个突起结构是分布在前述第一表面上，且每一个突起结构包含氧化铝层、粘着层以及抗磨耗层，其中氧化铝层是埋设于第一表面中，粘着层是设置于氧化铝层上，而抗磨耗层是设置于粘着层上。上述方法包含将粘着层先沉积于埋设在承载座中的氧化铝层上，以及将抗磨耗层沉积在粘着层上。 | ||
| 搜索关键词： | 粘着层 氧化铝层 第一表面 突起结构 静电式 磨耗层 吸附座 晶圆 承载座 沉积 埋设 制造 | ||
【主权项】：
1.一种静电式晶圆吸附座，其特征在于，包含：一承载座，具有一第一表面，用以承载一晶圆于该第一表面上；以及多个突起结构，分布在该第一表面上，其中每一所述突起结构包含：一氧化铝层，埋设于该第一表面中；一粘着层，设置于该氧化铝层上；以及一抗磨耗层，设置于该粘着层上，用以接触该晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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