[发明专利]静电式晶圆吸附座及其制造方法在审
| 申请号： | 201710141535.4 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108573893A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李家铭;梁耀祥;曹荣志;朱炫权;苏贤纮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粘着层 氧化铝层 第一表面 突起结构 静电式 磨耗层 吸附座 晶圆 承载座 沉积 埋设 制造 | ||
1.一种静电式晶圆吸附座，其特征在于，包含：
一承载座，具有一第一表面，用以承载一晶圆于该第一表面上；以及
多个突起结构，分布在该第一表面上，其中每一所述突起结构包含：一氧化铝层，埋设于该第一表面中；一粘着层，设置于该氧化铝层上；以及一抗磨耗层，设置于该粘着层上，用以接触该晶圆。
2.根据权利要求1所述的静电式晶圆吸附座，其特征在于，其中该抗磨耗层与该粘着层的一厚度比值为6至34。
3.根据权利要求1所述的静电式晶圆吸附座，其特征在于，其中该氧化铝层是突出该第一表面。
4.根据权利要求1所述的静电式晶圆吸附座，其特征在于，其中该承载座是由氮化铝所组成，该粘着层为一金属钛层，且该抗磨耗层为氮化钛层。
5.根据权利要求1所述的静电式晶圆吸附座，其特征在于，其中该承载座具有相对该第一表面的一第二表面，且该静电式晶圆吸附座还包含：
至少一对电极，埋设于该承载座中并邻近于该第一表面；
一加热元件，埋设于该承载座中并位于该至少一对电极和该第二表面之间；
一冷却层，设于该第二表面上；以及
一气体通道，贯穿该冷却层以及该承载座。
6.一种静电式晶圆吸附座的制造方法，其特征在于，包含：
提供一承载座，其中该承载座具有一第一表面，用以承载一晶圆于该第一表面上，其中该承载座的该第一表面分别埋设有多个氧化铝层，所述多个氧化铝层并自该第一表面暴露出来；
利用一罩幕于每一所述氧化铝层上沉积一粘着层；以及
利用该罩幕于每一所述氧化铝层上的该粘着层上沉积一抗磨耗层，其中该抗磨耗层是突出于该第一表面。
7.根据权利要求6所述的静电式晶圆吸附座的制造方法，其特征在于，其中该抗磨耗层与该粘着层的一厚度比为6至34。
8.根据权利要求6所述的静电式晶圆吸附座的制造方法，其特征在于，其中该氧化铝层是突出该第一表面。
9.根据权利要求6所述的静电式晶圆吸附座的制造方法，其特征在于，其中该承载座是由氮化铝所组成，该抗磨耗层为氮化钛层，且该粘着层为一金属钛层。
10.根据权利要求6所述的静电式晶圆吸附座的制造方法，其特征在于，其中该沉积该粘着层以及该沉积该抗磨耗层的步骤是利用物理气相沉积进行。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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