[发明专利]一种III族氮化物光电探测器钝化膜及其制备方法

摘要

本发明涉及光电子的技术领域，更具体地，涉及氮化硅钝化膜，尤其涉及一种III族氮化物光电探测器钝化膜及其制备方法。该钝化膜使用氮化硅材料，包含两层不同性质的结构使用低比例源气体及较低功率生长的内层；使用高比例源气体及较高功率生长的外层。与现有技术相比，本发明结合了两层钝化膜各自的优点，一方面内层钝化膜可以有效降低器件表面的界面态，减少表面复合中心，阻绝漏电通道；另一方面外层钝化膜具有良好致密性，可以隔绝外界离子吸附，进一步降低漏电流，并且抑制提前击穿，从而提高器件性能。

主权项

一种III族氮化物光电探测器钝化膜，其特征在于，钝化膜采用的材料是氮化硅，具有双层结构。