[发明专利]一种III族氮化物光电探测器钝化膜及其制备方法

权利要求书

1.一种III族氮化物光电探测器钝化膜，其特征在于，钝化膜采用的材料是氮化硅，具有双层结构。

2.根据权利要求1所述的一种III族氮化物光电探测器钝化膜，其特征在于：钝化膜包含10~50nm内层氮化硅钝化膜和200~400nm外层氮化硅钝化膜。

3.根据权利要求1所述的一种III族氮化物光电探测器钝化膜，其特征在于：所述的III族氮化物材料，具有台面结构，表面沉积两层氮化硅钝化膜。

4.一种III族氮化物光电探测器钝化膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1. 将光电探测器件采用有机溶液清洗洁净后放入反应腔，设定反应腔温度为200~350℃，设定腔体压强为500~1200mtorr，并通入氮气进行预热5~10min；

S2. 10~50nm内层氮化硅钝化膜生长；

S3. 200~400nm外层氮化硅钝化膜生长；

S4. 经光刻用BOE溶液腐蚀，露出器件电极以及透光窗口；

S5. 清洗掩膜。

5.根据权利要求4所述的一种III族氮化物光电探测器钝化膜的制备方法，其特征在于：所述的氮化硅钝化膜是通过化学气相沉积法生长的，主要采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）生长设备，还可以使用APCVD、LPCVD、ALD 等设备。

6.根据权利要求4所述的一种III族氮化物光电探测器钝化膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤S2中，采用PECVD设备：设定RF功率为10~50W，N₂流量300~400 sccm，NH₃流量5~10sccm，5%SiH₄/N₂的流量为10~20 sccm，腔体压强为500~1200mtorr。

7.根据权利要求4所述的一种III族氮化物光电探测器钝化膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤S2中，内层氮化硅钝化膜厚度为10~50nm，硅烷和氨气的流量比为1:1~4:1。

8.根据权利要求4所述的一种III族氮化物光电探测器钝化膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤S3中，采用PECVD设备：设定沉积条件RF功率为80~120W，N₂流量300~400 sccm，NH₃流量5~10sccm，5%SiH₄/N₂的流量为50~100 sccm，腔体压强为500~1200mtorr。

9.根据权利要求4所述的一种III族氮化物光电探测器钝化膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤S3中，外层氮化硅钝化膜厚度为200~400nm，硅烷和氨气的流量比为5:1~20:1。