[发明专利]用于检测氮浓度的结构及方法有效
| 申请号： | 201710128366.0 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108538738B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘媛娜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于检测氮浓度的结构及方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成氧化层；在所述氧化层表面形成氮化物层，且所述氮化物层中掺杂有氮；在所述氮化物层表面形成一多晶硅层；采用X射线衍射测量所述氮化物层中氮的浓度。本发明中，采用X射线衍射对氮化物层中的氮浓度进行检测时多晶硅层能够阻挡X射线的部分能量，防止X射线对氮化物层中的氮的化合键造成损伤，且多晶硅层并不会降低X射线的强度，保证氮浓度测量的准确性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 浓度 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测氮浓度的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成一氧化层；在所述氧化层表面形成一氮化物层；在所述氮化物层表面形成一多晶硅层；采用X射线衍射测量所述氮化物层中氮的浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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