[发明专利]用于检测氮浓度的结构及方法

权利要求书

1.一种检测氮浓度的方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成一氧化层；

在所述氧化层表面形成一氮化物层；

在所述氮化物层表面形成一多晶硅层，所述多晶硅层的厚度为100Å~200Å；

采用X射线衍射测量所述氮化物层中氮的浓度，其中，所述多晶硅层能够避免所述X射线直接打在所述氮化物层上，能够阻挡所述X射线的部分能量，降低在所述氮化物层上的打击能量，防止所述X射线对所述氮化物层中的氮的化合键造成损伤，避免氮的化合键的损伤对后续工艺产生影响，并且，所述多晶硅层并不会降低所述X射线的强度，保证氮浓度测量的准确性和可靠性。

2.如权利要求1所述的检测氮浓度的方法，其特征在于，所述氮化物层中氮掺杂的浓度为20%~30%。

3.如权利要求1所述的检测氮浓度的方法，其特征在于，间隔不同时间多次采用X射线衍射测量所述氮化物层中氮的浓度，测得的氮浓度的标准差小于等于0.02。

4.如权利要求1所述的检测氮浓度的方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述氧化层。

5.如权利要求4所述的检测氮浓度的方法，其特征在于，将所述半导体衬底置于通入氧气的炉管中，采用800℃~1000℃的温度在所述半导体衬底表面形成所述氧化层。

6.如权利要求5所述的检测氮浓度的方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅，所述氧化层的厚度为100Å~200Å。

7.如权利要求1所述的检测氮浓度的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述氮化物层。

8.如权利要求7所述的检测氮浓度的方法，其特征在于，化学气相沉积工艺形成所述氮化物层时采用的温度为550℃~650℃。

9.如权利要求8所述的检测氮浓度的方法，其特征在于，所述氮化物层的材料为氮氧化硅，所述氮化物层的厚度为200Å~1000Å。

10.如权利要求1所述的检测氮浓度的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述多晶硅层。

11.一种用于检测氮浓度的结构，适用于采用X射线衍射测量氮化物层中的氮浓度，所述用于检测氮浓度的结构包括：半导体衬底以及依次位于所述半导体衬底表面的氧化层、氮化物层和多晶硅层，所述多晶硅层的厚度为100Å~200Å，其中，所述多晶硅层能够避免所述X射线直接打在所述氮化物层上，能够阻挡所述X射线的部分能量，降低在所述氮化物层上的打击能量，防止所述X射线对所述氮化物层中的氮的化合键造成损伤，避免氮的化合键的损伤对后续工艺产生影响，并且，所述多晶硅层并不会降低所述X射线的强度，保证氮浓度测量的准确性和可靠性。

12.如权利要求11所述的用于检测氮浓度的结构，其特征在于，所述氮化物层中氮掺杂的浓度为20%~30%。

13.如权利要求11所述的用于检测氮浓度的结构，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅，所述氧化层的厚度为100Å~200Å。

14.如权利要求11所述的用于检测氮浓度的结构，其特征在于，所述氮化物层的材料为氮氧化硅，所述氮化物层的厚度为200Å~1000Å。